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公司以提升自身芯片能力为导向，自主设计研发芯片并提供芯片设计服务。资料显示，该型号单核尺寸为45*45mil。在350mA注入电流条件下，单芯光输出功率为104.54mW，工作电压为5.79V；在500mA注入电流条件下，单芯光输出功率高达143.43mW。

中科潞安氮化镓基高效深紫外LED芯片技术项目是山西省重大科技项目。主要研究氮化铝模板材料的制备工艺，提出高效P型掺杂新方法，突破极化诱导。掺杂、溅射退火氮化铝模板以及基于芯片微纳结构的高效出光等关键技术，大幅提升了深紫外LED芯片的出光效率。